根据最新一期的《高级材料》杂志，每日记者Zhang Jiaxin节 - 日报，瑞典Chalms Technology的研究人员在开发新的分层磁性材料方面取得了突破。它们形成具有原子厚度的二维材料，该材料使铁磁和抗铁磁磁性共存与材料结构共存，从而将记忆能消耗降低到原始的几乎十千的。这一发现可以将新一代的超高且可靠的存储解决方案带入人工智能，移动技术和高级数据处理。尽管数字数据的价值大大增加，但在未来几十年中，数据存储，处理和交付的价值可以占全球能源消耗的近30％。 Ang Kathis Walk迫使研究人员在探索全新的技术可能性的同时找到更多的储能技术。磁性已成为DE的主要因素逐步的数字存储技术。通过电子在外部磁场和波浪下的磁性材料中的行为，人们可以更快，较小，更好的能量记忆记忆。 Mayroong karaniwang dalawang pangunahing estado ng磁性，抗铁磁磁性的铁磁。结合两个相反的磁性特性具有科学研究的价值，还可以为计算机存储和传感器提供技术优势。但是，在以前的记忆材料中，只能通过堆叠各种铁磁和抗铁磁材料的层结构来实现这种统一性。这项研究的突破是在单个二维晶体结构中包括铁磁和抗铁磁磁性，以预防电子方向转移的磁力。该设计使电子可以在没有外部磁场的情况下快速，轻松地切换指示，从而将记忆能量消耗降低到几乎是原始的二十分之一。该材料由由磁性和非磁性元素组成的合金制成，例如钴，铁，锗，Tallurium，允许铁磁和抗铁磁特性在单个结构中共存。在记忆中，这两个维晶体膜被范德华（Van der Waals）堆叠，而不是传统的化学粘合，预防中的多层堆叠界面问题，提高了制造的可靠性并减轻了劳动力过程。